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14nm集成電路工藝教學(xué)套件
主要特性

●直觀全面及實(shí)踐性:直觀展示典型集成電路器件的制造工藝流程,實(shí)驗(yàn)箱液晶顯示屏模擬真實(shí)工藝設(shè)備的參數(shù)設(shè)定,增強(qiáng)工藝教學(xué)的實(shí)踐性。
●與時(shí)俱進(jìn)及可拓展性:產(chǎn)品包含當(dāng)前最新器件的制造工藝流程(如 FinFET、SOI 等),預(yù)留 1 個(gè)定制按鍵用于用戶特殊器件工藝的定制需求,集成電路工藝模擬器可以根據(jù)行業(yè)工藝技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行同步更新。

概述 產(chǎn)品規(guī)格 附件和保修 資料下載

當(dāng)前我國(guó)最先進(jìn)的集成電路量產(chǎn)工藝已經(jīng)進(jìn)入到14nm,以EUV光刻機(jī)為代表的工藝制造設(shè)備價(jià)格極其昂貴,高校很難采購這類設(shè)備用于教學(xué),同時(shí),新手操作容易損壞,又有一定的危險(xiǎn)性,使得高校集成電路工藝教育與真實(shí)工藝線人才需求脫節(jié)。為此,我們研發(fā)了14nm集成電路工藝套件。

該套件包含如下內(nèi)容
1. 完整的14nm工藝線虛擬制造設(shè)備操作:氧化爐、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、退火設(shè)備、外延設(shè)備。
2. 完整的14nm工藝線虛擬制造步驟及晶圓微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等:氧化、淀積、光刻、刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、退火、外延。
3. 完成的14nm工藝線典型器件制造步驟及器件微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等:14nm FinFET;GaAs;LDMOS;MOSFET;BJT;DIODE;RESISTOR。
4. 完善的工業(yè)級(jí)集成電路版圖設(shè)計(jì),包含基本器件單元和電路的版圖設(shè)計(jì)及GDSⅡ文件的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
5. 7nm微納電子教學(xué)套件銜接,實(shí)現(xiàn)從工藝制造到器件測(cè)試完整過程。

14nm集成電路工藝教學(xué)套件技術(shù)資料

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