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產(chǎn)品
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7nm微電子器件教學(xué)套件
主要特性

●使用真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)進(jìn)行教學(xué): 基于真實(shí)的工業(yè)器件數(shù)據(jù),開(kāi)展器件特性分析、建模與仿真實(shí)踐,幫助教師和學(xué)生進(jìn)行半導(dǎo)體教學(xué)。
●綜合全面: 能夠演示大多數(shù)最新的半導(dǎo)體器件類(lèi)型(如 FinFET, 28nm CMOS, SOI, Bipolar, III/V 及無(wú)源器件),和典型電路例如環(huán)形振蕩器和 SRAM。通過(guò)真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)與實(shí)踐,更有效地闡明器件物理及建模原理。
●與時(shí)俱進(jìn)及可拓展: 內(nèi)含最新器件類(lèi)型(如 FinFET,GaN),模擬器可隨未來(lái)行業(yè)技術(shù)發(fā)展進(jìn)行同步更新。

概述 產(chǎn)品規(guī)格 附件和保修 資料下載

當(dāng)前工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm FinFET 時(shí)代(如:蘋(píng)果A13處理器、華為麒麟980處理器、高通驍龍855處理器),結(jié)合20年工業(yè)界Foundry服務(wù)經(jīng)驗(yàn),我們推出了7nm微納電子器件教學(xué)套件,縮小高校教學(xué)與工業(yè)界的gap。

1. 真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)虛擬化的器件和典型電路單元:
7nm FinFET;HEMT GaN;28nm & 180nm NMOS&PMOS;LDMOS;TB SOI&FD SOI;NPN&PNP BJT;Diode;Resistor;Capacitor;Varactor;JFET;TFT;SRAM;RO

2. 虛擬化測(cè)試儀器
源測(cè)試單元:測(cè)量器件的IV特性
LCR Meter:測(cè)量器件的CV特性

3. 虛擬化測(cè)量環(huán)境
外界溫度:可進(jìn)行高低溫測(cè)試
測(cè)量時(shí)間:用于可靠性測(cè)試如HCI,NBTI等
輻照劑量:器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性

 

7nm 微納電子器件教學(xué)套件技術(shù)資料

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