不同于使用萬(wàn)用表測(cè)量常規(guī)導(dǎo)體電阻，半導(dǎo)體硅單晶電阻率以及微電子領(lǐng)域的其他金屬薄膜電阻率的測(cè)量屬于微區(qū)薄層電阻測(cè)試，需要利用微小信號(hào)供電以及高精密的量測(cè)設(shè)備，包括測(cè)試接線方式上，也需要利用四線制的接法來提升測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性，行業(yè)內(nèi)稱為四探針測(cè)試法。

四探針技術(shù)可測(cè)試對(duì)象主要有：晶圓片和薄層電阻，例如硅襯底片、研磨片、外延片，離子注入片、退火硅片、金屬膜和涂層等。利用探針分析可檢測(cè)整個(gè)芯片表面薄層電阻均勻性，進(jìn)而判斷離子注入片和注入工藝中存在的問題。

四探針法按測(cè)量形狀可分為直線四探針法和方形四探針法。

直線四探針測(cè)試法的原理是用針距為1mm的四根探針同時(shí)壓在樣品的平整表面上，利用恒流源給外面的兩個(gè)探針通以微小電流，然后在中間兩個(gè)探針上用高精密數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量電壓，最后根據(jù)理論公式計(jì)算出樣品的電阻率，電阻率計(jì)算公式：ρ=（V23/I）*2πS，S代表探針間距。

直線四探針法能測(cè)出超過其探針間距三倍以上大小區(qū)域的不均勻性。

測(cè)試設(shè)備：不同探針間距探針臺(tái)+IT2806高精密源表+上位機(jī)軟件PV2800

IT2806高精密源表(簡(jiǎn)稱SMU)：集六種設(shè)備功能于一體(恒流源、恒壓源、脈沖發(fā)生器、6.5位DVM、電池模擬器，電子負(fù)載)。在電阻率的測(cè)試中，可將IT2806高精密源表切換至恒流源模式，在輸出電流同時(shí)量測(cè)中間兩探針之間的微小壓降，并搭配免費(fèi)的PV2800上位機(jī)軟件，自動(dòng)得出電阻率的測(cè)量結(jié)果。